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  • 24
    2024-06

    新能源车电驱动器系统软件中应用SiCMOSFET

    CISSOID与华中科技大学电气设备与电子器件工程学校达到深层战略合作协议协议书,彼此将相互进行有关前沿科技的科学研究开发设计 各制造行业所需高溫半导体材料解决方法的管理者CISSOID日前公布:企业已与华中科技大学电气设备与电子器件工程学校达到深层战略合作协议协议书,彼此将携手并肩产品研发对于碳化硅(SiC)功率电子器件运用的多方位提升、配对的电机和电子控制系统,以充分运用SiC器件的高频率、髙压、高溫、效率高、高功率相对密度等特性优点,尽快考虑工业生产和新能源车运用的普遍要求。 近些年,以

  • 23
    2024-06

    海思半导体为华为设计方案芯片

    在上月底,据洛杉矶时报报导,川普(DonaldTrump)政府部门已经推动新的限定对策,致力于断开中国通讯设备生产商华为技术性公司(HuaweiTechnologiesCo.)两者之间关键优秀半导体经销商之一的联络。 实际来讲,此项要求将规定向华为出口很多由美国设计方案的芯片生产制造专用工具生产制造的芯片时须要出口许可证书。这将使美国商业部有工作能力阻拦向华为主打产品海思半导体(HiSilicon)市场销售由中国台湾积体电路生产制造股权公司(TaiwanSemiconductorManufac

  • 22
    2024-06

    在集成电路生产制造阶段,光刻机是最关键设备

    在张江,这里有一条现阶段国内唯一对外开放的12英寸集成电路先进工艺产品研发和国内设备原材料点评认证小试线。因为集成电路全产业链长、各阶段工艺流程复杂、项目投资量大,单就生产制造阶段就包含了千余个流程,且设备、原材料等绝大多数为海外垄断性。如何破解这重重的副本,保持中国技术性提升,变成摆放在眼下的难点。在位于张江的上海市集成电路产品研发中心,这条对外开放的生产流水线协助中国的集成电路公司进行各种科学研究和工艺验证,在科技成果转化中,相互推动集成电路的国内生产制造的系统进程。 上海市区集成电路产品

  • 21
    2024-06

    中国半导体重新洗牌

    自2015年以来,一个多事之秋出现了新型冠状病毒肺炎。第一步是合并并购浪潮。接着,国际电子半导体贸易的高歌猛进,又爆发了新的冠状肺炎。这些都对整个半导体行业产生了巨大的影响。同时,中国半导体也进入了一个新的发展时期。与20多年前的“908”、“909”工程相比,发展目标更加明确,思路更加清晰,市场化程度更高。 这样,全球半导体产业的“多事之秋”与我国半导体产业新的发展阶段相碰撞,无疑会产生许多火花,对我国半导体产业产生巨大影响,既有挑战,也有机遇,在一定程度上加速了我国半导体产业的发展中国本土

  • 20
    2024-06

    传感器技术的原理及应用分析

    传感器是一种检验设备,能感受到被精确测量的信息内容,能够将感受到的信息内容,按一定规律性转换变成电子信号或别的所需方式的信息内容輸出,以考虑信息内容的传送、解决、储存、显示信息、纪录和操纵等规定。 传感器的特性包含:小型化、智能化、智能化系统、智能化、专业化、数字化。它是完成自动识别和自动控制系统的主要阶段。 传感器原理 传感器一般由比较敏感元件、变换元件、转换电源电路、輔助开关电源四一部分组成,如下图图示。 在其中,比较敏感元件立即接受精确测量,用以輸出被精确测量相关的静电力常量数据信号,比

  • 19
    2024-06

    电子元器件基础知识-存放元器件篇

    一、湿度对电子器件元器件和整个设备的危害 绝大多数电子设备都规定在干躁标准下工作和储放。据调查,全世界每一年有1/4之上的工业生产生产制造欠佳品与湿冷的危害相关。针对电子工业,湿冷的危害早已变成危害产品品质的关键要素之一。 (1)集成电路芯片:湿冷对半导体产业的危害具体表现在湿冷能通过IC塑胶封装和从脚位等间隙入侵IC內部,造成IC吸潮状况。 在SMT过程的加温阶段中产生水蒸汽,造成的工作压力导致IC环氧树脂封装裂开,并使IC器件內部金属材料空气氧化,导致商品常见故障。除此之外,当器件在PCB

  • 18
    2024-06

    光耦隔离的设计

    在一般的隔离电源中,光耦防护意见反馈是一种简易、成本低的方法。 1、普遍的几类接口方式以及原理 常见于意见反馈的光耦型号规格有TLP521、PC817等。 这儿以TLP521特征分析,详细介绍这类光耦的特点。 TLP521的原边等于一个发光二极管,原边电流If越大,光照强度越强,副边三极管的电流Ic越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比率称之为光耦的电流放大系数,该指数随溫度转变而转变,且受溫度危害很大。 作意见反馈用的光耦更是运用“原边电流转变将造成副边电流转变”来完成意见反馈,因

  • 17
    2024-06

    MOSFET参考:ZXMS6002GQ

    ZXMS6002GQ MOSFET - 制造商的描述。数据表。关键参数和特征。模拟搜索。目录 设备名称:ZXMS6002GQ 标记:ZXMS6002 晶体管类型:MOSFET 极性:N 最大功耗(Pd):2.5 W. 允许的最大漏源电压(Uds):60 V. 包含阈值电压Ugs(th):2.1V 最大允许直流消耗(Id):1.6 A. 最高通道温度(Tj):150°C 耐漏极 - 源极开路晶体管(Rds):0.5欧姆 外壳类型:SOT-223 ZXMS6002GQ的模拟(替换) ZXMS60

  • 16
    2024-06

    ZXMS600 3G 60V N通道自保护增强模式 带可编程电流限制的IntellifeTM MOSFET

    描述 自保护低压侧MOSFET。单片集成电路 温度、过电流、过电压(激活 CLAMP)和ESD保护逻辑级功能。 用作通用开关,具有状态 指示和可编程电流限制。 特征 #8226;可通过外部编程的电流限制 电阻器 •状态针(模拟状态指示) •具有自动重启功能的短路保护 •过电压保护(有源钳) •热关机,自动重启 •过电流保护 •输入保护(ESD) •甩负荷保护(主动保护 负载) •逻辑电平输入 •高连续电流额定值 功能框图 应用程序和信息 •特别适用于高冲击电流的负载,如灯具和电机。 •开关应用

  • 15
    2024-06

    STM32F103C8:主流性能线,ARM Cortex-M3 MCU,64Kbytes闪存,72MHz CPU,电机控制,USB和CAN

    STM32F103xx中密度性能线系列采用了高性能ARM®Cortex?-M332位RISC内核,工作频率为72MHz,高速嵌入式存储器(闪存高达128KB,SRAM高达20KB),以及广泛的增强I/O和连接到两条APB总线的外设。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。 这些装置在2.0到3.6伏的电源下工作。它们在-40至+85°C的温度范围和-40至+105°C的扩展温

  • 12
    2024-06

    W681310 3V单通道VOICEBAND编解码器

    1.一般说明W681310是一款通用单通道PCM编解码器,具有引脚可选的μ-Law或A-Law扩。该器件符合ITU G.712规范。它采用+ 3V单电源供电电源,提供20引脚SOG,SSOP和TSSOP封装选项。功能执行包括语音信号的数字化和重建,以及频带限制和平滑PCM系统所需的滤波器。 W681310的性能指定在工业温度范围内范围为-40°C至+ 85°C。W681310包括一个片上精密电压基准和一个额外的功率放大器,能够以差分方式驱动300Ω负载,最高可达3.544V峰峰值。模拟部分是全

  • 11
    2024-06

    单片机控制电阻电容的在线测试系统设计资料说明

    介绍了一种新颖的单片机控制电阻电容在线测试系统,并详细论述了系统组成,电阻、电容在线测试原理以及系统软件的设计思想。 1 引 言 在线测试是一种新颖的电子测量技术。在调试维修印刷电路板时,往往需要测量印刷电路板上的电阻或电容值。传统的做法是焊开元件再测量,以避免受板上其他元件的影响。这不仅麻烦,测试速度低,甚至可能损伤印刷板和元件。为此,我们采用“电隔离”技术,设计了一种用单片机控制的电阻电容在线测试系统,该系统无需焊开元件便可直接在印刷板上测量各元件的参数,即保持了印刷板和元件的完善无损,又