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  • 23
    2024-10

    ZXTN25100BFH 100V,SOT23,中功率晶体管

    摘要 BVCEX 170V BVCEO 100V BVECO 6V IC(续)= 3A VCE(sat)80mV @ 1A RCE(sat)= 67m? PD = 1.25W 辅助部件号ZXTP25100BFH 描述 先进的工艺能力和包装设计已被用于 最大化这个小轮廓的功率处理和性能 晶体管。该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择 适用于空间有限的应用。 特征 •高功耗SOT23封装 •饱和电压低 •170V正向阻断电压 应用 •灯泡继电器和电磁阀驱动器 •汽车和工业应用中的一般切换 •电机

  • 21
    2024-10

    SOT89中的100V NPN低饱和介质功率晶体管

    特征 4.5a高持续电流 Icm=10a峰值脉冲电流 Rce(Sat)=31mΩ,对于低等效通电阻 低饱和电压VCE(SAT)60mV@IC=1A 高电流增益保持高达10安的HFE 无铅表面处理;符合RoHS(注释1和2) 不含卤素和锑。“绿色”装置(注3) 符合AEC-Q101高可靠性标准 说明 封装在SOT89中概述了这种新的低饱和100VNPN晶体管 提供极低的状态损耗,非常适合用于直流-直流电路。 以及各种驾驶和动力管理功能。 特征 4.5安培持续电流 最高10安培峰值电流 非常低的饱

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    2024-10

    AT32UC3L0128

    高性能32位AVR®UC3 RISC微控制器专为低功耗、高代码密度和高性能的成本敏感型嵌入式应用而设计。 微控制器的存储器保护单元(MPU)和快速、灵活的中断控制器支持最新的实时操作系统。带有MPU的安全访问单元(SAU)提供了增强的安全性和完整性。一组丰富的DSP指令提供了更高的计算能力。 微控制器嵌入最先进的picoPower®技术,实现超低功耗。功率控制技术的结合使有功电流消耗降低到165微安/兆赫,漏电流降低到9毫安,同时仍保留一组备用寄存器。该设备在功能和功耗之间提供了广泛的权衡,以

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    2024-10

    W83194BR-703是用于SIS 741芯片组的时钟合成器

    W83194BR-703数据表删除一些电源管理引脚,添加寄存器,SRC修复100MHz,添加正确的IC版本和默认值值这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或可以合理地预期会导致这些产品出现故障的系统在人身伤害。 华邦客户使用或销售这些产品用于此类产品应用程序自行承担风险,并同意对Winbond进行全面赔偿因不当使用或销售而造成的损害。 1.一般说明W83194BR-703是用于SIS741芯片组的时钟合成器,带有964南桥。 W83194BR-703提供高速微处理器所需的所有时钟,并提供无级频

  • 18
    2024-10

    扩产与淡季影响,2018 Q1 NAND Flash产业供过于求将致价格走跌

    扩产与淡季影响,2018 Q1 NAND Flash产业供过于求将致价格走跌

    根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%,而服务器需求相对持平,整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率,位元产出成长亦较第四季高于5%,预期NAND Flash市场将进入供过于求态势,2018年第一季固态硬盘、NAND Flash颗粒及w

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    2024-10

    无源晶振匹配电容和匹配电阻的选择

    嵌入式设计是个庞大的工程,今天就说说硬件电路设计方面的几个注意事项,首先,咱们了解下嵌入式的硬件构架。 我们知道,CPU是这个系统的灵魂,所有的外围配置都与其相关联,这也突出了嵌入式设计的一个特点硬件可剪裁。在做嵌入式硬件设计中,以下几点需要关注。 一、电源确定 电源对于嵌入式系统中的作用可以看做是空气对人体的作用,甚至更重要:人呼吸的空气中有氧气、二氧化碳和氮气等但是含量稳定,这就相当于电源系统中各种杂波,我们希望得到纯净和稳定符合要求的电源,但由于各种因素制约,只是我们的梦想。这个要关注两

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    2024-10

    五大SMT贴片常见工艺注意事项

    五大SMT贴片常见工艺注意事项

    工作中的高速贴片机(来源:网络) 现在,工程师做SMT贴片已经越来越方便,但是,对SMT中的各项工艺,作为工程师的你真的了解“透”了吗?本文整理了“五大SMT常见工艺缺陷”,帮你填坑,速速get吧~! 缺陷一:“立碑”现象(即片式元器件发生“竖立”) 立碑现象发生主要原因是元件两端的湿润力不平衡,引发元件两端的力矩也不平衡,导致“立碑”。 回流焊“立碑”现象动态图(来源网络) 什么情况会导致回流焊时元件两端湿润力不平衡,导致“立碑”? 因素A:焊盘设计与布局不合理↓ ①元件的两边焊盘之一与地线

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    2024-10

    几种常见二极管的正负极判别

    一、普通二极管有色端标识一极为负极; 二、发光二极管长脚为正,短脚为负。如果脚一样长,发光二极管里面的大点是负极,小的是正极。有的发光二极管带有一个小平面,靠近小平面的一根引线为负极。 万用表中:红笔接“+”,黑笔接“-”;在测发光二极管时,低阻挡测不出来,可用RX10K档测,两表笔接触二极管的两级。如果电阻较小,黑表笔所接的是正极,电阻较大,黑表笔所接的是负极。发光二极管,若与TTL组件相连使用时,一般需串接一个470R的降压电阻,以防器件的损坏。 三、晶体二极管 晶体二极管由一个PN结,两

  • 14
    2024-10

    提高差分放大器的共模抑制比,关键的点是电阻的选择

    在各种应用领域,采用模拟技术时都需要使用差分放大器电路,如图 1 所示。例如测量技术,根据其应用的不同,可能需要极高的测量精度。为了达到这一精度,尽可能减少典型误差源(例如失调和增益误差,以及噪声、容差和漂移)至关重要。为此,需要使用高精度运算放大器。放大器电路的外部元件选择也同等重要,尤其是电阻,它们应该具有匹配的比值,而不能任意选择。 图 1. 传统的差分放大器电路。 理想情况下,差分放大器电路中的电阻应仔细选择,其比值应相同 (R2/R1 = R4/R3)。这些比值有任何偏差都将导致不良

  • 13
    2024-10

    三星开始生产挖矿芯片

    法人认为,台积电大赚比特币挖矿财,今年营运成长幅度大增,「赚钱的生意大家抢着做」,三星此时抢进分一杯羹,并不让人意外。从台积电、三星两大指标厂都投入比特币相关芯片业务来看,虚拟货币热潮「比外界想像更热」。 对于三星抢进挖矿芯片,台积电表示,不评论竞争对手动态,强调自家技术平台领先对手,而且能充分满足挖矿机的专用客制化芯片(ASIC)客户需求。 三星虽在全球记忆体芯片取得龙头地位,并积极进军晶圆代工领域,但始终无法超越台积电。 台积电董事长张忠谋对三星大军来袭并不轻忽,曾以「700磅的大猩猩」来

  • 12
    2024-10

    红外气体传感器的工作原理解析

    定义:红外光学原理的气体传感器是一种基于不同气体分子的近红外光谱选择吸收特性,利用气体浓度与吸收强度关系(朗伯-比尔Lambert-Beer定律)鉴别气体组分并确定其浓度的气体传感装置。 原理:由不同原子构成的分子会有独特的振动、转动频率,当其受到相同频率的红外线照射时,就会发生红外吸收,从而引起红外光强的变化,通过测量红外线强度的变化就可以测得气体浓度。 需要说明的是,振动、转动是两种不同的运动形态,这两种运动形态会对应不同的红外吸收峰,振动和转动本身也有多样性,因此一般情况下一种气体分子会

  • 09
    2024-10

    磁珠虽小,神通广大——最全的磁珠知识总结

    磁珠的原理 磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金,它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似,颜色为灰黑色。电磁干扰滤波器中经常使用的一类磁芯就是铁氧体材料,许多厂商都提供专门用于电磁干扰抑制的铁氧体材料。这种材料的特点是高频损耗非常大,具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。对于抑制电磁干扰用的铁氧体,最重要的性能参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。磁导率μ可以表示为复数,实数部分构成电感,虚数部分代表损耗,