在当前复杂的国际形势下，工业半导体资料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的开展滞后将限制我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国度经济开展。

10月8日，工信部网站发布《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案回答的函》，在回答函中，工信部就加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主开展的政策扶持、开放协作、关键技术打破、以及人才培育等四个方面做出了回答。

详细回答如下：

一、关于制定工业半导体芯片开展战略规划，出台扶持技术攻关及产业开展政策的倡议

为推进我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业开展，我部、开展变革委及相关部门，积极研讨出台政策扶持产业开展。

一是2014年国务院发布的《推进纲要》中，曾经将工业半导体芯片相关产品作为开展重点，经过资金、应用、人才等方面政策推进产业进步。

二是开展变革委、我部研讨制定了集成电路相关规划规划，推进包括工业半导体资料、芯片等产业构成区域集聚、主体集中的良性开展场面。

三是依照国发〔2011〕4号文件的有关请求，对契合条件的工业半导体芯片设计、制造等企业的企业所得税、进口关税等方面出台了多项税收优惠政策，对相关范畴给予重点扶持。

四是盘绕能源、交通等国度重点工业范畴，充沛发挥相关行业组织作用，经过举行产用交流对接会、新产品推介会、发布典型应用示范案例等方式，为我国工业半导体芯片企业和整机企业搭建交流协作平台。

下一步，我部及相关部门将持续推进工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业开展，依据产业开展形势，调整完善政策施行细则，更好的支持产业开展。经过行业协会等加大产业链协作力度，深化推进产学研用协同，促进我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推行。

二、关于开放协作，推进我国工业半导体芯片资料、芯片、器件及IGBT模块产业开展的倡议

集成电路是高度国际化、市场化的产业，资源整合、国际协作是快速提升产业开展才能的重要途径。我部与相关部门积极支持国内企业、高校、研讨院所与先进兴旺国度增强交流协作。引进国外先进技术和研发团队，推进包括工业半导体芯片、器件等范畴国际专家来华交流，支持海外高层次产业人才来华开展，提升我国在工业半导体芯片相关范畴的研发才能和技术实力。

下一步， 亿配芯城 我部和相关部门将继续加快推进开放开展。引导国内企业、研讨机构等增强与先进兴旺国度产学研机构的战略协作，进一步鼓舞我国企业引进国外专家团队，促进我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业研发才能和产业才能的提升。

三、关于步步为营分阶段打破关键技术的倡议

为处理工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块等中心部件的关键性技术问题，我部等相关部门积极支持工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块范畴关键技术攻关。

一是2017年我部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用方案”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大范畴，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块消费及IDM、上游资料、消费设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的开展。

二是指导湖南省树立功率半导体制造业创新中心建立，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块范畴关键共性技术。

三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业开展道路图（2018-2030）》，引导我国IGBT行业技术晋级，推进相关产业开展。

下一步，我部将继续支持我国工业半导体范畴成熟技术开展，推进我国芯片制造范畴良率、产量的提升。积极部署新资料及新一代产品技术的研发，推进我国工业半导体资料、芯片、器件、IGBT模块产业的开展。

四、关于高度注重人才队伍的培育，出台政策和措施树立这一范畴长期有效的人才培育方案的倡议

当前，人才问题特别是高端人才团队短缺成为限制我国工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业可持续开展的关键要素，为此我部及相关部门积极推进我国相关产业人才的培育。

一是我部、教育部共同推进筹建集成电路产教交融开展联盟，促进产业界和学术界的资源整合，推进培育具有工程化才能的产业人才。

二是同时以集成电路为试点施行关键范畴中心技术紧缺博士人才自主培育专项，依据行业企业需求，依托高程度大学和国内主干企业，针对性地培育一批高端博士人才。

三是教育部、我部等相关部门印发了《关于支持有关高校建立示范性微电子学院的通知》，支持26所高校建立或筹建示范性微电子学院，推进高校与区域内集成电路范畴主干企业、国度公共效劳平台、科技创新平台、产业化基地和中央政府等增强协作。

下一步，我部与教育部等部门将进一步增强人才队伍建立。推进设立集成电路一级学科，进一步做实做强示范性微电子学院，加快建立集成电路产教交融协同育人平台，保证我国在工业半导体资料、芯片、器件及IGBT模块产业的可持续开展。

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