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- 发布日期：2024-10-23 07:42 点击次数：191
摘要
BVCEX> 170V
BVCEO> 100V
BVECO> 6V
IC（续）= 3A
VCE（sat）<80mV @ 1A
RCE（sat）= 67m？
PD = 1.25W
辅助部件号ZXTP25100BFH
描述
先进的工艺能力和包装设计已被用于
最大化这个小轮廓的功率处理和性能
晶体管。该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择
适用于空间有限的应用。
特征
•高功耗SOT23封装
•饱和电压低
•170V正向阻断电压
应用
•灯泡继电器和电磁阀驱动器
•汽车和工业应用中的一般切换
•电机驱动和控制
绝对最大额定值
笔记：
（a）对于安装在15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB上的器件表面，具有高覆盖率的单面1oz铜，
仍然是空气条件。
（b）安装在25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。
（c）安装在50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。
（d）如上所述（c）在t <5secs时测量。
参数符号限制单位
集电极电压VCBO 170 V.
集电极 - 发射极电压（正向阻断）VCEX 170 V.
集电极 - 发射极电压VCEO 100 V.
发射极 - 集电极电压（反向阻断）VECO 6 V.
发射极电压VEBO 7V
连续集电极电流（b）IC 3 A.
峰值脉冲电流ICM 9 A.
Tamb = 25°C时的功耗（a）PD 0.73 W.
线性降额系数5.84 mW /°C
Tamb = 25°C时的功耗（b）PD 1.05 W
线性降额系数8.4 mW /°C
Tamb = 25°C时的功耗（c）PD 1.25 W.
线性降额系数9.6 mW /°C
Tamb = 25°C时的功耗（d）PD 1.81 W
线性降额系数14.5 mW /°C
操作和储存温度范围Tj
，Tstg - 55至150°C
热阻
参数符号限制单位
接点到环境（a）RJA 171°C / W.
接点到环境（b）RJA 119°C / W.
接点到环境（c）RJA 100°C / W.
接点到环境（d）RJA 69°C / W.
电气特性（除非另有说明，Tamb = 25°C）
参数符号最小值典型。最大。单位条件
收集器故障
电压
BVCBO 170 220 V IC = 100A
集电极 - 发射极击穿
电压（正向阻断）
BVCEX 170 210 IC = 100A，RBE <1k？要么
-1V <VBE <0.25V
集电极 - 发射极击穿
电压（基极开路）
BVCEO 100 120 V IC = 10mA（*）
笔记：
（*）在脉冲条件下测量。脉冲宽度？ 300S;占空比 ？ 2％。
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
BVECX 6 7 VIE = 100A，RBC <1k？要么
0.25V> VBC> -0.25V
发射极 - 集电极击穿
电压（基极开路）
BVECO 6 8.4 V IE = 100A，
发射极击穿
电压
BVEBO 7 8 VIE = 100A
集电极截止电流ICBO <1 50
20
nA的
一个
VCB = 136V
VCB = 136V，Tamb = 100℃
集电极发射极截止电流ICEX - 100 nA VCE = 136V; RBE <1k？要么
-1V <VBE <0.25V
发射极截止电流IEBO <1 50 nA VEB = 5.6V
集电极 - 发射极饱和度
电压
VCE（sat）40 55 mV IC = 0.5A，IB = 50mA（*）
100 135 mV IC = 0.5A， 亿配芯城 IB = 10mA（*）
70 80 mV IC = 1A，IB = 100mA（*）
200 250 mV IC = 3A，IB = 300mA（*）
基极 - 发射极饱和电压VBE（sat）940 1050 mV IC = 3A，IB = 300mA（*）
基极 - 发射极导通电压VBE（on）890 1000 mV IC = 3A，VCE = 2V（*）
静态正向电流传输比
hFE 100 200 300 IC = 10mA，VCE = 2V（*）
50 85 IC = 1A，VCE = 2V（*）
20 IC = 3A，VCE = 2V（*）
转换频率fT 160 MHz IC = 100mA，VCE = 5V
f = 100MHz
输出电容COBO 9.4 20 pF VCB = 10V，f = 1MHz（*）
延迟时间t（d）16 ns VCC = 10V。 IC = 500mA，
上升时间t IB1 = IB2 = 50mA。 （r）55 ns
存储时间t（s）677 ns
下降时间t（f）95 ns
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