ZXTP25040DFH 40VSOT23PNP中功率晶体管 摘要 BVCEO -40V BVECO -3V; IC（CONT）= -3A RCE（sat）= 55米; VCE（sat）-85mV @ 1A; PD = 1.25W 辅助部件号ZXTN25040DFH 描述 先进的工艺能力和包装设计已被用于 最大化这个小轮廓的功率处理和性能 晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择 适用于空间有限的应用。 特征 高功耗SOT23封装 高峰值电流 饱和电压低 3V反向阻断电压 应用 MO
PNP硅平面中等功率 高增益晶体管双极（BJT）单晶体管
2024-10-21ZTX790A双极晶体管的特性 类型 - pnp 集电极 - 发射极电压：-40 V. 集电极 - 基极电压：-50 V 发射极 - 基极电压：-5 V. 集电极电流：-2 A 收集器耗散 - 1.5 W 直流电流增益（h fe） -250 过渡频率 -100MHz 工作和存储结温范围-55至+ 200 °C 套餐 -TO-92 特征 40伏VCEO IC = 1安培时增益为200 极低的饱和电压 绝对最大额定值。 参数符号值单位 集电极 - 基极电压VCBO -50 V. 集电极 - 发射极
BCP51是PNP型晶体管
2024-10-21BCP51是PNP型晶体管(BJT) - 类别：分离式半导体产品 家庭：晶体管(BJT) - 单路 晶体管类型：PNP 电流- 集电极（Ic）（最大）：1.5A 电压- 集电极发射极击穿（最大）：45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA 在某Ic、Vce 时的最小直流电流增益（hFE）：40 @ 150mA，2V 功率（ 最大）：1W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-223（3 引线+ 接片）， SC-73，TO-261 包装：带卷（TR）
D44H11：功率双极晶体管
2024-10-19D44H11通用双极结型晶体管非常适合需要高电流密度且可在高电压范围内工作的电路。该双极结型晶体管的最大发射极基极电压为5 V.其最大功耗为50000mW。为了确保零件不会被散装包装损坏，该产品采用管包装，通过将松散部件存放在外管中来增加一点保护。该双极结型晶体管的工作温度范围为-65°C至150°C。它的最大集电极发射极电压为80 V，最大发射极基极电压为5 V. NPN和PNP功率晶体管可用作通用功率放大和开关，例如开关稳压器，转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。 特性 低集电极 -
BUX48A是NPN晶体管可以替代3DD15A
2024-10-19BUX48A是大功率三极管，硅材料NPN型 ，有塑料封装和金属封装两种。 参数： 端子数量：2 晶体管极性：NPN 最大集电极电流：15 A 最大集电极发射极电压：450V 加工封装描述：TO-3, 2 PIN 状态：DISCONTINUED 端子形式:PIN/PEG 端子涂层:锡 铅 端子位置:BOTTOM 结构:单一的 壳体连接:COLLECTOR 晶体管应用:开关 晶体管元件材料:硅 晶体管类型:通用电源 最小直流放大倍数:8 BUX48A内部结构原理图： BUX48A封装图：
结型场效应晶体管工作原理
2024-10-06结型场效应晶体管工作原理 结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。 对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。这主要是由于长沟道E
硅集成电路的晶体管密度已接近极限?
2024-10-01目前，用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度，至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径，将晶体管阵列带入三维空间，在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。 摩尔定律认为，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接近极限。而随着硅晶体管尺寸变得越来越小，它们的工作电压也在不断下降，导致最先进的处理芯片可能会与触摸板、显示驱动器等高电压接口
双极型晶体管的结构_工作原理及特性曲线
2024-09-25双极型晶体管 双极型晶体管一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质可以分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用作开关的三极管。按材料分为锗三极管和硅三极管，由于硅三极管稳定性较好，所以大部分的三极管都是用硅材料做的。 双极型晶体管的结构 双极型晶体管是由两个靠的很近的背靠背的PN结构成。一般分为PNP和NPN型两种，具体结构如下图所示。无论是NPN型或是PNP型的三极管，它们均包含三个区：发射区、基区和集电区，并相应地引出三个电极：发射极（e）、基
什么是晶体管测试仪？
2024-09-21一、晶体管测试仪作用 性能稳定的测试仪，可自动读取准确的数据，使用方便，适合电子爱好者、电子开发人员、设计人员及电子维修所需的小型设备。它可以测量各种二极管，三极管，晶闸管，mos场效应晶体管，可以判断器件类型，引脚的极性，输出hfe，阀电压，场效应晶体管的结电容，附加条件可以测量电容和电阻。特别适用于晶体管配对和混合表面贴装元件识别。 二、什么是晶体管进行测量分析仪器? 众所周知，晶体管测量仪器是基于一般电子测量仪器和半导体器件的电子仪器。可测试三极管(NPN型和PNP型)共发射极和共基电路