为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1给你一个答案
2024-09-15ST发布了市场首个也是唯一的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。在设计AC-DC变换系统时，工程师可以将其用于LLC谐振变换器。新器件还将适用于其它常见的高能效和高端拓扑，例如，有源钳位反激或正激变换器，还解决了更高额定功率和图腾柱PFC的设计问题。 新器件具有高度象征意义，因为它让GaN晶体管在大众化的产品中普及变得更容易。电信设
以这样的方式了解晶体管，你会不会更容易理解？
2024-09-11一、晶体管分类： 1、BJT双极型： a、NPN型、PNP型 2、单极型： a、MOSFET 增强型(N沟道、P沟道) 耗尽型(N沟道、P沟道) b、JFET 耗尽型(N沟道、P沟道) 整理如下： 由于篇幅有限，因此本文后续主要讲 NPN BJT。 二、主要参数 1、电流放大系数：表征管子放大作用的主要参数 a、共射电流放大系数β b、共射直流电流放大系数 c、共基电流放大系数 d、共基直流电流放大系数 2、反向饱和电流 a、集电极与基极之间的反向饱和电流 Icbo；表示当发射极e开路时，集电
IGBT晶体管是什么？
2024-09-07IGBT晶体管，英文全称是「InsulatedGateBipolarTransistor」，中文名叫「绝缘栅双极晶体管」,下面由电子元器件代理商来说一下IGBT是什么。 IGBT晶体管是半导体器件的一种，主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。 IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管，也叫IGFET，InsulatedGateFieldEffectTransister）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
你听说过晶体管微缩吗？晶体管微缩是什么情况？
2024-08-30你听说过晶体管微缩吗？晶体管微缩是什么情况？作为一个硬件工程师，你一定知道。在半导体行业，“微缩”是一个常用词。比如我们经常在所有ic交易网的新闻里听到晶体管的微缩(就是把纳米级的尺寸缩小到原子级)。或者说，我们听说日常生活中使用的智能手机等电子设备，因为使用了Scaling存储半导体，可以存储高清视频。不管是什么样的新闻，基本都意味着Scaling的进步。 所有这些进步都是由组件足迹的减少、三维结构的扩展以及新材料和创新结构的采用带来的。由于这些技术的发展和进步，今天的数字时代已经建立。如今
晶体管三种基本接法进行比较
2024-08-26在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法，场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。以下通过3个主要性能（放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro）指标对晶体管三种基本接法进行比较。基本共射放大电路： 交流通路： 微变信号等效电路： 放大倍数：A=Uo/Ui=-βRc/rbe;
光电晶体管电路设计及设备内部的工作原理
2024-08-12光电晶体管是固态器件，用作具有内部增益的光检测器并用于提供模拟或数字信号。几乎所有依赖光的电子设备（如烟雾探测器和光学遥控器）都在其系统中使用光电晶体管。这些设备将检测到的光转换为电流以供电路使用。本应用笔记介绍了有关光电晶体管的一些基本事实，包括其在行业中常用的不同架构。它讨论了它的操作以及这些设备内部的工作原理。当光电晶体管检测到近红外范围内的光时，共发射极放大器电路（图 1）产生一个输出，该输出从高状态转变为低状态。近红外区域的光的波长范围约为 700 纳米 (nm) 至 1100 nm
什么就是晶体管_晶体管的由来
2024-08-101. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。 1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速发展。正因为它如此地丰富了人们的生活，就其贡献度而言，作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士，当之无愧地获得了诺贝尔奖。恐怕今后的发明都难以与晶体管的发明相提并论。总之，晶体管为现代社会带来了巨大的影响。 2. 从锗到硅 最初，晶体管是由锗（半导体）做成的。但是，锗具有在80°C左右时发生
IC Insights：晶体管数量增长趋势继续遵循摩尔定律
2024-06-28尽管某些产品类别的增长率已经放缓，但每两年将每芯片晶体管数量增加一倍仍然是业界继续遵循的指导原则。 集成电路行业衡量其技术性能和进步的主要标准仍然是摩尔定律，该定律指出，每芯片晶体管的数量每两年翻一番。它与每个芯片上的组件的增长率有关，有时可以概括地描述为：每个新一代IC所实现的原始计算能力的指数增长。IC Insights的2020年版《McClean报告》（于1月发布）显示了在过去的50年中，DRAM，闪存，微处理器和图形处理器如何跟踪Moore预测的曲线（图1）。 图1在过去的10到15