欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:Pango(紫光同创)FPGA/CPLD芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > ZXMS6002GQ

ZXMS6002GQ 相关话题

TOPIC

ZXMS6002GQ MOSFET - 制造商的描述。数据表。关键参数和特征。模拟搜索。目录 设备名称:ZXMS6002GQ 标记:ZXMS6002 晶体管类型:MOSFET 极性:N 最大功耗(Pd):2.5 W. 允许的最大漏源电压(Uds):60 V. 包含阈值电压Ugs(th):2.1V 最大允许直流消耗(Id):1.6 A. 最高通道温度(Tj):150°C 耐漏极 - 源极开路晶体管(Rds):0.5欧姆 外壳类型:SOT-223 ZXMS6002GQ的模拟(替换) ZXMS60
  • 共 1 页/1 条记录