ZXMS6002GQ MOSFET - 制造商的描述。数据表。关键参数和特征。模拟搜索。目录

设备名称：ZXMS6002GQ

标记：ZXMS6002

晶体管类型：MOSFET

极性：N

最大功耗（Pd）：2.5 W.

允许的最大漏源电压（Uds）：60 V.

包含阈值电压Ugs（th）：2.1V

Pango(紫光同创)FPGA/CPLD芯片 51， 51); font-family: "microsoft yahei"， arial; font-size: 18px; white-space: normal;">

最大允许直流消耗（Id）：1.6 A.

最高通道温度（Tj）：150°C

耐漏极 - 源极开路晶体管（Rds）：0.5欧姆

外壳类型：SOT-223

ZXMS6002GQ的模拟（替换）

ZXMS6002GQ 60V N-CHANNEL自保护增强型®带状态指示的INTELLIFET MOSFET产品概述特性和优势连续漏极源电压VDS =60V状态引脚（模拟状态指示）导通电阻500mΩ•逻辑电平输入额定负载电流（VIN = 5V）1.4A带自动重启的短路保护钳位E.

• MOSFET
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• ZXMS6002GQ