5月25日消息，美光在华被禁售后，韩国政府呼吁重新审查美国芯片补贴与科学法案的资金补助附带条件，或进一步放宽已在美国投资的韩国半导体厂商在中国的扩产限制。据韩国经济日报5月23日报道，韩国政府已于5月23日向美国商务部提出正式要求，要求针对芯片补贴与科学法案提供资金补助的附带条件进行重新检视。 

据报道，这些条件涉及韩国半导体厂商未来在中国发展的关键。韩国政府表示，美国芯片与科学法案资金补助的附带条件不应给已经在美国进行投资的公司带来不合理的压力与负担。根据美国芯片与科学法案资金补助的附带条件规定，接受美国政府资金补助的企业在未来10年在中国或被关注的国家产线的扩产，先进制程仅准许增加5%，成熟制程则仅允许增加10%。针对此， 芯片采购平台韩国政府要求美国对先进制程的产业扩产限制要提高到10%。对于先进与成熟半导体制程的区别，美国商务部的定义是逻辑芯片生产制程低于28奈米以下、DRAM制程低于18奈米以下、NAND Flash快闪存储器高于128层堆栈者就属于先进半导体制程，反之就是成熟半导体制程。美国的目的在于限制中国在先进半导体制程上的发展。韩国政府对美国提出对芯片与科学法案提供资金补助的附带条件重新审视，是因为目前已经在美国进行投资的韩国两大半导体厂商三星和SK海力士，旗下在中国都有庞大的产线。其中，三星在西安有一座NAND Flash快闪存储器工厂，在苏州也有一座芯片封装厂。而三星的西安工厂产能占该公司全球NAND Flash快闪存储器近40%的产能。另外，SK海力士在无锡有一座DRAM工厂，在大连经营一家NAND Flash快闪存储器工厂，在重庆则有一座芯片封装厂。SK海力士的无锡工厂生产该公司全球48%的DRAM。 

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