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英飞凌FF4MR20KM1HPHPSA1参数SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB技术与应用介绍 英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业和消费电子设备等。FF4MR20KM1HPHPSA1是一款高性能的SIC半导体芯片,其技术参数和应用领域具有重要意义。 首先,FF4MR20KM1HPHPSA1采用了SIC半导体技术,这是一种专门为高温和高电压应用而设计的半导体技术。该技术具有高耐压性和高频率性能,能够提供更高的功
英飞凌FF4MR20KM1HHPSA1参数SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB技术与应用介绍 英飞凌科技公司作为全球半导体行业的领军企业之一,其产品线涵盖了广泛的半导体技术,包括功率器件、传感器、接口芯片等。本文将介绍英飞凌的一款关键产品——FF4MR20KM1HHPSA1参数SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB。 FF4MR20KM1HHPSA1参数SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB是一款高性能的硅栅(SIC)功率二极管,采用先进的半导体工艺技术制
英飞凌科技公司生产的FF4MR12W2M1HPB11BPSA1是一款具有低功耗易用特点的存储芯片。这款芯片在技术领域具有显著的优势,尤其是在电池供电设备中,如智能手表、健康监测设备、物联网设备等。 首先,我们来了解一下FF4MR12W2M1HPB11BPSA1的基本参数。它是一款容量为1GB的SPI Flash存储芯片,采用MCP(单芯片封装)形式,工作电压范围为3.3V至5V。这种低电压宽电压范围的设计使得设备在电池供电时具有更高的续航能力。 LOW POWER EASY是英飞凌为这款芯片提
英飞凌FF4MR12W2M1HB11BPSA1模块:技术、应用及优势解读 随着电子技术的飞速发展,英飞凌科技股份公司(Infineon)的FF4MR12W2M1HB11BPSA1模块在功率半导体市场中占据了重要地位。该模块是一款适用于工业应用的高压模块,其技术参数和应用领域令人瞩目。本文将深入解析FF4MR12W2M1HB11BPSA1模块的技术细节、应用场景以及优势所在。 一、技术解析 FF4MR12W2M1HB11BPSA1模块采用SIC半导体材料,设计电压高达1200V,电流容量为170
Infineon英飞凌FP100R12KT4PBPSA1模块MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3:参数解析与低功耗方案应用 一、简介 Infineon英飞凌FP100R12KT4PBPSA1模块是一款高性能的MOD IGBT(绝缘栅双极型晶体管),其低功耗特性使其在各种电子设备中具有广泛的应用前景。ECONO3-3是该模块的节能特性,旨在优化设备的功耗并延长其使用寿命。 二、主要参数 1. 型号:FP100R12KT4PBPSA1 2. 芯片类型:MOD IGBT 3. 电压范围
英飞凌FF45MR12W1M1PB11BPSA1参数SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM技术及应用介绍 英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业和消费电子。FF45MR12W1M1PB11BPSA1是一款高性能的SIC功率MOSFET器件,具有出色的性能和可靠性。 FF45MR12W1M1PB11BPSA1的主要参数包括:工作电压为1200V,导通电阻低至35mΩ,通态电流高达12A,开关频率高,并且具有极低的栅
Infineon英飞凌FP75R17N3E4BPSA1模块IGBT MOD 1700V 125A 555W参数及应用方案 一、简述产品 Infineon英飞凌FP75R17N3E4BPSA1模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,其额定电压高达1700V,电流容量为125A,最大功率为555W。这款模块广泛应用于各种电力电子设备中,如变频器、电机驱动、电源转换器等。 二、关键参数解析 1. 电压:1700V:该模块的额定电压远高于一般IGBT模块,使其在高压应用中表现出色。 2.
英飞凌FF45MR12W1M1B11BOMA1参数SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2技术及应用介绍 英飞凌科技公司推出的FF45MR12W1M1B11BOMA1芯片是一款具有极高应用价值的SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2型号芯片。该芯片凭借其出色的性能、卓越的稳定性和广泛的适用性,在各种电子设备中发挥着重要作用。 首先,FF45MR12W1M1B11BOMA1参数是衡量芯片性能的关键指标。英飞凌的这款芯片在频率、功耗、工作温度等方面表现出色。它能够
一、简介 Infineon英飞凌FP150R07N3E4PB11BPSA1模块是一款低功耗、高性能的微控制器单元(MCU)。该模块具有独特的LOW POWER ECONO AG-ECONO3-3特性,旨在满足当今能源效率日益提高的市场需求。LOW POWER ECONO AG-ECONO3-3特性包括低功耗模式、待机模式和动态调整功耗等,为用户提供卓越的能源效率。 二、参数 1. 工作电压:该模块的工作电压范围为3.3V至5V,适合多种应用场景。 2. 工作温度:-40°C至+85°C的宽广温
随着电子技术的快速发展,IGBT模块在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FF450R12KT4PHOSA1是一款高性能的1200V 450A IGBT MODULE,具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 工作电压:1200V; 2. 最大电流:450A; 3. 栅极驱动电压:25V; 4. 封装形式:TO-3P; 5. 工作温度范围:-40℃至+150℃; 6. 开关频率:高达15kHz。 二、方案应用 1. 电源系统: