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标题:IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1功率半导体IGBT是一款高效且可靠的功率半导体器件,其具有650V和38A的特性,最大输出功率为200W。这种器件广泛应用于各种需要大功率转换和控制的应用场景,如电机驱动、电源转换、电子设备等。 首先,我们来了解一下IXYS IXYS IXYYP15N65C3D1的特性。这款IGBT器件采用TO-220的封装形式,具有高导通压降和快速开关特性。其650V的耐压值确保了设备在高
标题:Infineon(IR) IRGSL6B60KDPBF功率半导体IRGSL6B60 - DISCRETE IGBT WITH A的技术和方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IRGSL6B60KDPBF功率半导体,以其独特的IRGSL6B60型号和DISCRETE IGBT WITH A技术,在业界引起了广泛的关注。 IRGSL6B60KDPBF是一款具有高效率和高功率承载能力的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。其突
标题:IXYS艾赛斯IXYP15N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司以其卓越的IXYP15N65C3功率半导体IGBT,为工业、电源和电子设备领域提供了高效、可靠的解决方案。这款650V 38A 200W的IGBT,以其出色的性能和稳定性,在许多应用中发挥着关键作用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP15N65C3功率半导体IGBT的基本技术。它采用先进的半导体工艺制造,具有高耐压、大电流和高热效率的特点。这种特性使得它在许多高功率应用中,如逆变器、电机驱动
标题:Infineon(IR) IRGS4045DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRGS4045DPBF功率半导体IGBT是一种广泛应用于电力转换系统的关键元件。其独特的技术和方案应用,为电力电子设备的设计和优化提供了新的可能性。 首先,IRGS4045DPBF功率半导体IGBT采用了Infineon(IR)的ULTRAFAST SOFT RECOVERY D技术。这种技术使得IGBT具有更高的开关速度和更低的损耗,从而提高了电力转换系统的效率和可靠性
随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为一家专业从事功率半导体器件研发、生产和销售的公司,其IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D系列产品在市场上备受关注。本文将介绍IXYS艾赛斯IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D的技术和方案应用。 一、技术特点 IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX
标题:Infineon(IR) IKD04N60RFATMA1功率半导体IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IKD04N60RFATMA1功率半导体IGBT是一种具有革命性意义的产品,它以其高效、安全和可靠的性能在工业应用领域中占据了重要的地位。该产品采用了独特的TRENCH 600V 8A TO252-3封装,使其在承受高电压和大电流的同时,依然保持了紧凑和轻盈的设计。 IKD04N60RFATMA1功率半导体IGBT的关键技术特
标题:IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下,IXYS艾赛斯的IXYY8N90C3-TRL功率半导体元件以其卓越的性能和稳定性,成为了业界关注的焦点。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体的技术特点和方案应用。 首先,让我们了解一下IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体的基本技术。IXYS IXXY8N90C3-TRL是一款N-MOS功
标题:Infineon(IR) IRGSL4B60KD1PBF功率半导体IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRGSL4B60KD1PBF功率半导体器件,以其独特的IRGSL4B60型号以及附带的A技术,正在为各类应用提供强大的解决方案。 IRGSL4B60KD1PBF是一款集成度较高的IGBT模块,具有优良的热性能和可靠性。它集成了IGBT和快恢复芯片,简化了
标题:IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D封装技术的方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体供应商,其IXA4I1200UC-TUB DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D封装技术以其独特的优势,在众多应用场景中发挥着重要作用。本文将围绕IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3
标题:Infineon(IR) IRGS4607DTRLPBF功率半导体IRGS4607 - DISCRETE IGBT WITH AN的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IRGS4607DTRLPBF功率半导体,以其独特的DISCRETE IGBT WITH AN技术,在众多应用场景中发挥着重要作用。本文将详细介绍IRGS4607的特性和方案应用,以飨读者。 一、IRGS4607技术特性 IRGS4607是一款高性