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标题：IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其技术特点和方案应用在当今的电力电子领域中具有重要意义。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXDR30N120D1功率半导体IGBT采用了IXYS独特的技术，具有以下特点： 1. 1200V的电压等级，能够承受较大的电压和电流，适用于各种高电压和大电流的场合。 2. 50A的额定电流