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半导体器件的击穿机理主要有两种：ESD电击穿和热击穿。电击穿是指强电场导致器件的击穿，这个过程通常是可逆的，当电压消失，器件电学特性会恢复。热击穿（二次击穿）则与电流有关，当正向导通时，电流超过一定限值（图示绿色区域之外），器件会发生热烧毁。 在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，漏源击穿电压BVDS的产生机理有两种：一是漏PN结的雪崩击穿，二是漏源两区的穿通。雪崩击穿是在加反向电压时，随着反向电压增加，PN结耗尽区反向电场增加，当电子（或者空穴）与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高